MEMS加工 - 外延與摻雜

外延一般是在單晶襯底上淀積一層薄的單晶層。新淀積的這層稱為外延層。外延為器件設計者在優化器件性能方面提供了很大的靈活性，例如可以控制外延層摻雜厚度、濃度、輪廊，而這些因素是與硅片襯底無關的。這種控制可以通過外延生長過程中的摻雜來實現。